Výrobca Číslo produktu:
IPB09N03LA G
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB09N03LA G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12801310
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB09N03LA G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1642 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB09N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP000068859
IPB09N03LAG
IPB09N03LAGXT
IPB09N03LA G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PSMN4R3-30BL,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9945
ČÍSLO DIELU
PSMN4R3-30BL,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.58
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PSMN017-30BL,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1868
ČÍSLO DIELU
PSMN017-30BL,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3